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技术参数:
| 序号 | 投标规格 | 备注 | |
| 1 | 激光物质 | GaAlAs—半导体 | |
| 2 | 激光波长 | 650nm/(810±30)nm | |
| 3 | 终端激光输出功率 | A探头：0～500mW可调 C探头：0～3000mW 可调 |
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| 4 | 激光器最大输出功率 | 810nm：1000mW×6 650nm: 5mW×24 |
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| 5 | 激光辐射面积 | A探头：50mm² C探头：22600mm² |
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| 6 | 定时范围 | 0-90min ( 30s/档 ) | |
| 7 | 工作方式 | 双路同时输出，连续或间断方式 | |
| 8 | 显示方式 | LCD 7.5″彩色液晶显示 | |
| 9 | 控制方式 | 触摸按键 | |
| 10 | 电源 | AC220V±22V/ 50Hz±1Hz | |
| 11 | 整机功耗 | ≤160W | |
| 12 | 整机重量 | ≤32Kg | |
| 13 | 整机体积(m³) | 0.525×0.52×0.83 | |
| 另注： 1、技术专利（1994年获中国半导体激光治疗机最早发明专利），拥有核心技术。 2、通过ISO9001和ISO13485国际质量管理体系认证。 |
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